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Projekt
Berechnung Ladungsverteilungen in SixGe1-x MOS Transistoren
Für
Delft Institute of Micro-Electronics and Sub-micron techology (DIMES), TU Delft 
(freiberuflich)
Datum
1992
Platforms
C++, Apple Macintosh


Entwicklung eines Programms für Berechnung von Ladungsverteilungen in SixGe1-x MOS Transistoren. 

Für die Evaluation der Wirkung von MOS Transistoren ist die wichtigste physikalische Größe die geometrische Verteilung der Ladungsträger (electrons and holes) über das Halbleitermaterial.  SixGe1-x MOS Transistoren sind hierbei ein relativ komplexer Fall, weil darin die Mobilität der Ladungsträger abhängt von dem (ortsabhängigen) Anteil Si (Silizium) zu Ge (Germanium). 

Das Programm hat die statische Ladungsverteilung berechnet über eine eindimensionale Linie durch das Halbleitermaterial.  Grundlage der Ladungsverteilungs-Berechnung ist die Poisson-Gleichung. 

In meiner Diplomarbeit hatte ich mich befasst mit Modellierung von hole mobility in SixGe1-x MOS Transistoren.  Dieses Projekt ist fortgeflossen aus meiner Diplomarbeit und habe ich gleich anschließend daran ausgeführt. 


As soon as time allows, this project description will be extended by the following:
  • Some example graphs of 1D charge distributions in SiGe material
  • A fuller description of the type of computation performed internally in the software (with a summary of the underlying physics where necessary)