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`Projekt`
	Berechnung Ladungsverteilungen in Si_xGe_1-x MOS Transistoren
`Für`
	Delft Institute of Micro-Electronics and Sub-micron techology (DIMES), TU Delft (freiberuflich)
`Datum`
	1992
`Platforms`
	C++, Apple Macintosh

Entwicklung eines Programms für Berechnung von Ladungsverteilungen in Si_xGe_1-x MOS Transistoren.

Für die Evaluation der Wirkung von MOS Transistoren ist die wichtigste physikalische Größe die geometrische Verteilung der Ladungsträger (electrons and holes) über das Halbleitermaterial. Si_xGe_1-x MOS Transistoren sind hierbei ein relativ komplexer Fall, weil darin die Mobilität der Ladungsträger abhängt von dem (ortsabhängigen) Anteil Si (Silizium) zu Ge (Germanium).

Das Programm hat die statische Ladungsverteilung berechnet über eine eindimensionale Linie durch das Halbleitermaterial. Grundlage der Ladungsverteilungs-Berechnung ist die Poisson-Gleichung.

In meiner Diplomarbeit hatte ich mich befasst mit Modellierung von hole mobility in Si_xGe_1-x MOS Transistoren. Dieses Projekt ist fortgeflossen aus meiner Diplomarbeit und habe ich gleich anschließend daran ausgeführt.